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J-GLOBAL ID:201102273610366461   整理番号:11A0573033

単一α粒子衝突により形成された6H-SiCダイオード中の拡大ドリフト領域の過渡解析と増大した電荷収集へのその寄与

Transient Analysis of an Extended Drift Region in a 6H-SiC Diode Formed by a Single Alpha Particle Strike and Its Contribution to the Increased Charge Collection
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資料名:
巻: 58  号: 1,Pt.2  ページ: 305-313  発行年: 2011年02月 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ダイオード 

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