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J-GLOBAL ID：201102273959702167   整理番号：11A1208801

CuIn₃Te₅薄膜と太陽電池の特性に及ぼす基板温度と膜厚の影響

Effects of substrate temperature and film thickness on properties of CuIn₃Te₅ thin films and solar cells

著者 (2件)： MISE Takahiro (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo-ku, Sagamihara, Kanagawa ...) ,  NAKADA Tokio (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo-ku, Sagamihara, Kanagawa ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 110  号： 1  ページ： 014504  発行年： 2011年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuIn₃Te₅薄膜と太陽電池の特性に及ぼす基板温度(T_sub)と膜厚(d_CIT)の影響を研究した。CuIn₃Te₅薄膜(d_CIT=1.8~4.0μm)は分子線エピタクシーシステムを用いて一段階同時蒸着により250~400°CのT_subで裸とMo被覆ソーダガラス基板上に成長した。微細構造特性は,走査電子顕微鏡とX線回折を用いて調べた。よく発達した(112)配向CuIn₃Te₅粒子を,250°CのT_subでd_CITを増加させることによって得た。陰極線ルミネセンス分析と温度依存Hall測定は,より高いT_subで成長したCuIn₃Te₅膜中の浅い欠陥準位の形成を示した。CuIn₃Te₅薄膜(T_sub=250°Cとd_CIT=4.0μm)を用いて製作した最適太陽電池は6.28%の全面積(0.504cm²)効率を産出した。CdS/CuIn₃Te₅薄膜太陽電池の再結合機構を,膜と太陽電池の温度依存電気的性質に基づいて議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 銅化合物 ,  インジウム化合物 ,  テルル化物 ,  *半導体薄膜 ,  *太陽電池 ,  基板温度 ,  膜厚 ,  MBE成長 ,  モリブデン ,  被覆 ,  ソーダガラス ,  基板 ,  微細構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  陰極線ルミネセンス ,  温度依存性 ,  Hall効果 ,  欠陥準位 ,  浅い準位 ,  キャリア再結合 ,  電気的性質

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  太陽電池 ,  基板温度 ,  膜厚