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J-GLOBAL ID：201102273995555561   整理番号：11A1851652

InGaN背面障壁を有する300GHz InAlN/GaN HEMT

300-GHz InAlN/GaN HEMTs With InGaN Back Barrier

著者 (6件)： LEE Dong Seup (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  GAO Xiang (IQE RF LLC, NJ, USA) ,  GUO Shiping (IQE RF LLC, NJ, USA) ,  KOPP David (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  FAY Patrick (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  PALACIOS Tomas (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 32  号： 11  ページ： 1525-1527  発行年： 2011年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNの高電子移動度と高絶縁破壊電圧を生かしたAlGaN/GaN,AlN/GaN,InAlN/GaN系の高電子移動度トランジスタ(HFET)のさらなる高性能化を目的として,スケーリングを行うためには,短チャネル効果の抑制が必須である。筆者らは,前回Al_0.04Ga_0.96N背面障壁の導入による短チャネル効果の抑制を試みたが,今回の研究では,構造の熱伝導問題を避けるために,In_0.15Ga_0.85Nを使用した背面障壁層の導入を試みた。対象のHFETは,SiC基板上のIn_0.17Al_0.83N/GaN HFETである。GaNチャネル厚は26nmにまで縮小され,70nmにまでのゲート長に対して,短チャネル効果抑制が実現した。30nmゲート長では短チャネル効果が顕著であったが,300GHzの電流利得遮断周波数が得られた。また,1.37~1.45×10⁷cm/sの電子移動度が抽出された。

シソーラス用語： *被覆層 ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT ,  キャリア移動度 ,  電圧 ,  *短チャネル効果 ,  遮断周波数 ,  利得 ,  窒化インジウムアルミニウム ,  電子移動度 ,  絶縁破壊電圧
準シソーラス用語： *障壁層 ,  電流利得

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  背面 ,  障壁 ,  InAlN ,  GaN ,  HEMT