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J-GLOBAL ID：201102274205338627   整理番号：11A1370683

ナノ複合体誘起歪による高いCurie温度を持つ無鉛強誘電性厚膜

Thick lead-free ferroelectric films with high Curie temperatures through nanocomposite-induced strain

著者 (13件)： HARRINGTON Sophie A. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  ZHAI Junyi (Los Alamos National Lab., New Mexico, USA) ,  DENEV Sava (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  GOPALAN Venkatraman (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  WANG Haiyan (Texas A and M Univ., Texas, USA) ,  BI Zhenxing (Texas A and M Univ., Texas, USA) ,  REDFERN Simon A.T. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  BAEK Seung-Hyub (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  BARK Chung W. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  EOM Chang-Beom (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  JIA Quanxi (Los Alamos National Lab., New Mexico, USA) ,  VICKERS Mary E. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  MACMANUS-DRISCOLL Judith L. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 6  号： 8  ページ： 491-495  発行年： 2011年08月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaTiO₃膜にSm₂O₃を添加することにより,厚膜(μm)でもCurie温度が高い強誘電性膜を作製できた。パルスレーザ蒸着によりNbドープSrTiO₃基板上にBaTiO₃ナノ複合体の厚膜を作製した。電子顕微鏡,XRDからSm₂O₃の自己組織化ナノカラムが生成し,BaTiO₃格子と整合していた。誘電率,分極ヒステリシスを測定し,330°Cまでの強誘電性を確認した。残留分極は21μCcm^-2であり,抗電場は高く約200kVcm^-1であった。漏れ電流も複合体にすることにより一桁減少した。

シソーラス用語： *強誘電性 ,  誘電体薄膜 ,  *厚膜 ,  *Curie温度 ,  ナノ複合材料 ,  *チタン酸バリウム ,  抗電場 ,  残留分極 ,  誘電率 ,  酸化サマリウム ,  *添加物効果 ,  *レーザ蒸着

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ複合体 ,  誘起 ,  Curie温度 ,  強誘電性 ,  厚膜