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J-GLOBAL ID:201102274503321249   整理番号:11A0134197

電子顕微鏡による炭化ケイ素素材評価技術の研究

著者 (3件):
資料名:
巻: 2009  ページ: 58-59  発行年: 2010年10月 
JST資料番号: L2747D  資料種別: 年次報告 (Y)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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リターディング(減速電場印加)法による超低照射電圧観察機能を備え,二次電子,反射電子などの信号検出機構をもつ電界放射型走査電子顕微鏡(FE-SEM)を用いた結果,炭化ケイ素(SiC)のサブミクロンサイズの結晶欠陥構造(転位,積層欠陥など)を迅速に可視化することができた。溶融塩(溶融KOH)エッチングによって,サブミクロンサイズの結晶欠陥を極微小エッチピット化した。このとき,低温,処理時間を制御することでエッチング進行を抑制させた。その結果,適切な信号検出を選択することによって,10nmの分解能で欠陥を明瞭に観察でき,その空間分解能は透過型電子顕微鏡(TEM)の回折コントラストに匹敵した。すなわち,煩雑なTEM試料加工を行う必要もなく,本手法は,有効な結晶欠陥評価手法であることが分かった。
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その他の無機化合物の結晶構造 
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