文献
J-GLOBAL ID:201102274559457607   整理番号:11A1034251

斜め蒸着技術によるZnSナノコラム薄膜の作製と透過率

Preparation and Transmissivity of ZnS Nanocolumn Thin Films with Glancing Angle Deposition Technology
著者 (8件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 504-507  発行年: 2010年 
JST資料番号: C2093A  ISSN: 1000-0593  CODEN: GYGFED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ナノ結晶ZnS薄膜を電子ビーム蒸着システムの斜め蒸着(GLAD)技術で作製した。堆積は,ベースプレッシャー3×10(-4)Paのカスタムメイド真空チャンバで実行されたが,蒸着速度が0.2nms(-1)に固定された。入射分子流動に対して基板の斜め角度を0°,80°,85°に設定して,酸化インジウムスズ(ITO)基板の一部にZnS薄膜を堆積した。X線回折(XRD)スペクトルと走査型電子顕微鏡(SEM)画像から,ZnSナノ結晶薄膜が異なる斜め角度で基板上に形成されるが,ナノ柱状構造がα=80°と85°の状況下でつくられるだけだった。α=0°,80°,85°でのZnS薄膜の蒸着プロセスの動力学を解析した。ITO基板上に堆積したZnS薄膜の透過スペクトルは,ZnSナノ柱状構造薄膜が可視域で透過率が増強されることを示した。ZnSナノコラムはELデバイスに利用できて,デバイスの発光効率を強化する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  光物性一般 

前のページに戻る