抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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パワーエレクトロニクスの心臓部を担うパワー半導体であるIGBTが,トレードオフの関係にある非破壊,低損失および高速動作の3条件のバランスを図りながら進展した軌跡を示した。1984年のNon-Latch-Up IGBTの実現を中心とするIGBTの誕生について述べ,2kVまでの高耐圧化等を実現した草創期を経て,低いオン電圧と高耐圧に道を開いた1993年のエミッタ構造に着目して開発されたIEGTを中心とする飛躍・発展期について述べた。2000年のコレクタ構造に特徴のあるFS-IGBTにより代表的デバイスとなったと述べ,FS-IGBTのプロセス技術と薄基板技術,破壊モードについて述べた。IGBTの今後としてシリコンIGBTの限界とSiC/GaNデバイスを示した。