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J-GLOBAL ID：201102274771532180   整理番号：11A0146652

四半世紀にわたるIGBT開発の軌跡(1984年~2009年)

Milestones Achieved in IGBT Development over the Last 25 Years (1984~2009)

著者 (1件)： 戸倉規仁 ((株)デンソー,幸田製作所,デバイス開発部)
資料名： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
巻： 131  号： 1  ページ： 1-8 (J-STAGE)  発行年： 2011年 
JST資料番号： X0451A  ISSN： 0913-6339  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パワーエレクトロニクスの心臓部を担うパワー半導体であるIGBTが,トレードオフの関係にある非破壊,低損失および高速動作の3条件のバランスを図りながら進展した軌跡を示した。1984年のNon-Latch-Up IGBTの実現を中心とするIGBTの誕生について述べ,2kVまでの高耐圧化等を実現した草創期を経て,低いオン電圧と高耐圧に道を開いた1993年のエミッタ構造に着目して開発されたIEGTを中心とする飛躍・発展期について述べた。2000年のコレクタ構造に特徴のあるFS-IGBTにより代表的デバイスとなったと述べ,FS-IGBTのプロセス技術と薄基板技術,破壊モードについて述べた。IGBTの今後としてシリコンIGBTの限界とSiC/GaNデバイスを示した。

シソーラス用語： *IGBT ,  *ラッチアップ ,  電力トランジスタ ,  パワーエレクトロニクス ,  技術史 ,  *技術展望 ,  絶縁耐力 ,  駆動回路
準シソーラス用語： IEGT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (87件)：

• (1) http://www2.iee.or.jp/ver2/honbu/30-foundation/data07/press/press3-all.pdf
• (2) http://www.ieee.org/about/awards/tfas/newell.html
• (3) “Power Semiconductor Devices Driving the World”, IEEJ, The Book Plan Editing Committee of IGBT (Dec. 25, 2008) (in Japanese)
• 「世界を動かすパワー半導体—IGBTがなければ電車も自動車も動かない—」, 電気学会, IGBT図書企画編集委員会, p. i, 130, 138, 152, 153, 186 (2008-12-25)
• (4) H. W. Becke and C. F. Wheatley: “Power MOSFET with an Anode Region”, US Pat. 4364073 (Dec. 14, 1982)

タイトルに関連する用語 (3件)： IGBT ,  開発 ,  軌跡