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J-GLOBAL ID：201102275359478266   整理番号：11A1137438

面状ケイ酸ナトリウム(Na4SiO4)により改質したPVDF-g-PSSA膜の幹グラフト率に及ぼす影響因子

Effect Factors of the Stem Grafting Rate of the PVDF-g-PSSA Membrane Modified by the Plain Sodium Silicate (Na4SiO4)

著者 (3件)： Guo Guibao (School of Metallurgical and Ecological Engineering, Beijing Univ. of Sci. and Technol., Beijing) ,  Kou Shasha (School of Materials and Metallurgy, Inner Mongolia Univ. of Science&Technology, Baotou) ,  An Shengli (School of Metallurgical and Ecological Engineering, Beijing Univ. of Sci. and Technol., Beijing)
資料名： Gaofenzi Cailiao Kexue yu Gongcheng  (Gaofenzi Cailiao Kexue yu Gongcheng)
巻： 26  号： 4  ページ： 93-96  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2119A  ISSN： 1000-7555  CODEN： GCKGEI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 溶液グラフト技術からなる新手法により面状ケイ酸ナトリウム(Na4SiO4)をドーピングしたポリスチレンスルホン酸グラフト化ポリフッ化ビニリデン(PVDF-g-PSSA)プロトン交換膜を調製した。PVDF-g-PSSA膜の幹グラフト率に及ぼすNa4SiO4量,反応温度及び時間,スチレン及びBPO含量の影響を調べ,最適反応条件としてNa4SiO4量が10%,BPO含量が0.016mol/L,V(スチレン)/V(テトラヒドロフラン)が4:1,反応温度が75°C,時間が10hを得た。この条件でのPVDF-g-PSSA膜は16.1%の幹グラフト率と1.6×10-2S/cmの電気伝導率を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： ケイ酸ナトリウム ,  改質 ,  膜 ,  *比率 ,  因子 ,  ポリスチレンスルホン酸 ,  改変 ,  ポリフッ化ビニリデン ,  条件 ,  電気伝導率 ,  グラフト化【化学修飾】
準シソーラス用語： *グラフト率 ,  影響因子 ,  グラフト化 ,  反応条件

分類 (1件)： 高分子化学一般  (CG01000B)

タイトルに関連する用語 (6件)： ケイ酸ナトリウム ,  改質 ,  PVDF ,  幹 ,  グラフト率 ,  影響因子