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J-GLOBAL ID：201102275525088234   整理番号：11A1180062

高周波DC-DC変換器用2エピ層と酸化膜充填深掘りトレンチ分離を用いた0.25μm,20V高性能相補型バイポーラトランジスタ

0.25μm, 20V High Performance Complementary Bipolar Transistor with Dual EPI and Oxide-Filled Deep Trench Isolation for High Frequency DC-DC Converters

著者 (6件)： KWON T. (National Semiconductor, ME, USA) ,  HAYNIE S. (National Semiconductor, CA, USA) ,  SADOVNIKOV A. (National Semiconductor, CA, USA) ,  ALLARD P. (National Semiconductor, ME, USA) ,  STROUT J. (National Semiconductor, ME, USA) ,  STRACHAN A. (National Semiconductor, CA, USA)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 23rd  ページ： 172-175  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 変換器の高スイッチング周波数に対応するため,閉ループDC-DC変換器は低R_dson.Q_g横形2重拡散MOSトランジスタ(LDMOS)パワースイッチを用いた高速エラー増幅器を必要とする。高速エラー増幅器設計のため,0.25μm,20V高性能相補型バイポーラトランジスタを開発した。DC-DC変換器のスイッチング周波数を増すため,低R_dson.Q_g LDMOSトランジスタと高性能相補型バイポーラトランジスタ(ロバスト性5GHz NPN/3GHz PNP)を集積化した。2エピ層は,基板注入電流により生じるラッチアップを防止し,空隙を用いた酸化膜充填深堀りトレンチ分離は,寄生容量を最小化した。高性能相補型バイポーラトランジスタにより,500MHz GBWPエラー増幅器の設計を可能にした。相当するDC-DC変換器のスイッチング周波数は25MHzであった。

シソーラス用語： *DC-DCコンバータ ,  *トレンチカット【加工】 ,  *アイソレーション【IC】 ,  *MOSFET ,  *バイポーラトランジスタ ,  *相補回路 ,  ラッチアップ ,  漂遊容量 ,  NPN接合 ,  PNP接合 ,  周波数 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： LDMOS ,  スイッチング周波数

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高周波 ,  DC ,  変換器 ,  エピ層 ,  酸化膜 ,  深掘り ,  トレンチ ,  高性能 ,  バイポーラトランジスタ