文献

J-GLOBAL ID：201102275620100276   整理番号：11A1098517

AgPb_mSbTe_2+m-型熱電材料におけるナノドーパントによって誘起されるバンドモジュレーション

Nanodopant-Induced Band Modulation in AgPb_mSbTe_2+m-Type Thermoelectrics

著者 (6件)： ZHANG Yi (Univ. Nevada, Nevada, USA) ,  KE Xuezhi (East China Normal Univ., Shanghai, CHN) ,  KE Xuezhi (Univ. Nevada, Nevada, USA) ,  CHEN Changfeng (Univ. Nevada, Nevada, USA) ,  YANG Jihui (GM RD Center, Michigan, USA) ,  KENT Paul R.C. (Oak Ridge National Lab., Tennessee, USA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 106  号： 20  ページ： 206601.1-206601.4  発行年： 2011年05月20日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *テルル化物 ,  銀化合物 ,  鉛化合物 ,  アンチモン化合物 ,  *熱電材料 ,  ドーパント ,  規模 ,  *バンド構造 ,  改変 ,  *ナノ複合材料 ,  ナトリウム化合物 ,  ビスマス化合物 ,  計算 ,  バンドギャップ ,  格子歪 ,  スピン-軌道相互作用 ,  最適化 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： ナノスケール ,  *ナノ複合体 ,  第一原理計算

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 型 ,  熱電材料 ,  ドーパント ,  誘起 ,  バンド ,  モジュレーション