文献

J-GLOBAL ID：201102276269622518   整理番号：11A1179440

溶液金属酸化物TFT製造における低接触抵抗処理の新しい方法

A novel method of low contact resistance treatment in solution metal oxide TFT fabrication

著者 (7件)： SU Kuo-Hui (AU Optronics Corp., TWN) ,  YU Chin-Chih (AU Optronics Corp., TWN) ,  LAI Yu-Chien (AU Optronics Corp., TWN) ,  CHIEN Chia-Yi (AU Optronics Corp., TWN) ,  LIN Liang-Yu (AU Optronics Corp., TWN) ,  TSENG J.P. (AU Optronics Corp., TWN) ,  CHANG Fan-Wei (AU Optronics Corp., TWN)
資料名： Proceedings of the International Display Workshops  (Proceedings of the International Display Workshops)
巻： 17th  号： Vol.3  ページ： 1833-1836  発行年： 2010年 
JST資料番号： L4269A  ISSN： 1883-2490  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *ゾル-ゲル法 ,  インジウム化合物 ,  酸化亜鉛 ,  金属酸化物 ,  薄膜 ,  *接触抵抗
準シソーラス用語： In化合物 ,  TFT【トランジスタ】 ,  ZnO

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 溶液 ,  金属酸化物 ,  TFT ,  接触抵抗