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J-GLOBAL ID：201102276393358829   整理番号：11A0174258

トリメチルクロロシラン(TMCS)により改質した超低K多孔質シリカ膜の作製と性質

Preparation and Properties of Ultra Low K Porous Silica Films Modified by Trimethylchlorosilane (TMCS)

著者 (6件)： ZHAO Fengguo (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  WU Xiaoqing (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  REN Wei (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  CHEN Xiaofeng (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  SHI Peng (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  YAO Xi (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN)
資料名： Ferroelectrics  (Ferroelectrics)
巻： 406  ページ： 1565-1571,1594  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリビニルアルコール(PVA)をテンプレートに用いてSiO₂多孔質薄膜を作製した。TMCS改質剤の濃度と修飾時間が薄膜の誘電性と形態に及ぼす影響を調べた。TMCS改質剤の濃度と修飾時間の増加に伴い,薄膜の誘電率と誘電損失が低下した。TMCS濃度が60%,修飾時間が2時間のときの薄膜の誘電率は1.86であった。原子間力顕微鏡観察では,改質前と後の微細構造は似ていた。

シソーラス用語： 薄膜成長 ,  *多孔質体 ,  *誘電性 ,  *誘電体薄膜 ,  誘電損失 ,  誘電率 ,  微細構造 ,  結晶構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  周波数依存性 ,  有機ケイ素化合物 ,  *二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *シリカ ,  *多孔質シリカ

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

物質索引 (1件)： トリメチルクロロシラン

タイトルに関連する用語 (6件)： トリメチルクロロシラン ,  改質 ,  多孔質 ,  シリカ膜 ,  作製 ,  性質