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J-GLOBAL ID：201102277108175127   整理番号：11A0437424

半導体級のSiO2における強化されたSiおよびBの拡散と、拡散に関する歪みの効果

Enhanced Si and B diffusion in semiconductor-grade SiO2 and the effect of strain on diffusion

著者 (7件)： UEMATSU M ,  KAGESHIMA H ,  FUKATSU S ,  ITOH Km ,  SHIRAISHL K ,  OTANI M ,  OSHIYAMA A
資料名： THIN SOLID FILMS
巻： 508  号： 1-2  ページ： 270-275  発行年： 2006年 
JST資料番号： O6387A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiO2 ,  強化 ,  Si ,  拡散 ,  歪み