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J-GLOBAL ID：201102277426438129   整理番号：11A1078717

ペロブスカイト型透明導電性酸化物膜:Sb-及びNd-ドープされたSrSnO₃

Perovskite-type transparent and conductive oxide films: Sb- and Nd-doped SrSnO₃

著者 (6件)： LIU Qinzhuang ,  DAI Jianming ,  ZHANG Xiaobo ,  ZHU Guangping ,  LIU Zhongliang ,  DING Guohua
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 519  号： 18  ページ： 6059-6063  発行年： 2011年07月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイト型の透明で伝導性のSbとNdでドープされたSrSnO↓3↓薄膜を,パルスレーザー蒸着によって,SrTiO₃(001)基板上にエピタキシャル成長させた。この膜は,可視領域で90%以上の高い光学透過性を示し,優れた伝導性を備えたn-型半導体として機能した。この膜の構造的,電気的,更に光学的特性を,ドーピング含量と蒸着温度の関数として,体系的に検討が行われた。最適なドーピング含量と成長条件についても確認された。Sb-ドープSrSnO₃膜は,4.034Åの格子定数と,4.53eVの直接許容バンドギャップを持つ立方体ペロブスカイト型構造を示した。21mΩcmの最小抵抗率が,室温で,5%のNdでドープされたSrSnO₃膜中で観察され,これは成長温度に影響された。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *透明導電膜 ,  エピタクシー ,  ドーピング ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  レーザ蒸着 ,  N型半導体 ,  電気的性質 ,  光学的性質 ,  格子定数 ,  温度 ,  *スズ酸塩 ,  *ストロンチウム化合物 ,  アンチモン ,  ネオジム ,  バンドギャップ ,  *化合物半導体 ,  *酸化物 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  *透明導電性酸化物

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： ペロブスカイト ,  透明導電性酸化物 ,  ドープ