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J-GLOBAL ID：201102277761443897   整理番号：11A1000179

ダイヤモンドが表面成長したInAlN/GaN HEMT

Diamond overgrown InAlN/GaN HEMT

著者 (11件)： ALOMARI M. ,  DIPALO M. ,  ROSSI S. ,  DIFORTE-POISSON M.-a. ,  DELAGE S. ,  CARLIN J.-f. ,  GRANDJEAN N. ,  GAQUIERE C. ,  TOTH L. ,  PECZ B. ,  KOHN E.
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 20  号： 4  ページ： 604-608  発行年： 2011年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報告では,InAlN/GaN HEMT表面に直接成長したナノ結晶性ダイヤモンド(NCD)膜の技術と特性解析を発表する。金属被覆スタックを含むGaN系HEMTプロセスの最適化を検討する,完全加工した7nm障壁をもつInAlN/GaN HEMT構造に500nm厚ナノ結晶性ダイヤモンド薄膜を750°Cから800°Cの温度領域で熱フィラメントCVD装置によって表面成長させた。DC及びRF HEMT動作の半エンハンスメントモードの初めての結果を報告する。成長したNCD膜はSEM,TEM,及びRaman分光法で特性解析した。直接熱伝導率測定はまだ行っていないが;実行した実験はInAlN/GaN HEMT表面に,数ミクロン厚の,高品質CD膜を熱排出用途用の潜在材料として成長させる可能性を示すものである。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *HEMT ,  *化合物半導体 ,  *窒化物 ,  インジウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  不定比化合物 ,  窒化ガリウム ,  *薄膜 ,  ナノ結晶 ,  *化学蒸着 ,  MOCVD ,  *結晶成長 ,  *連晶 ,  *表面構造 ,  *結晶構造 ,  化学組成 ,  FET【トランジスタ】 ,  電流電圧特性 ,  メサ構造 ,  ヒートシンク
準シソーラス用語： MOVPE ,  *ダイヤモンド膜 ,  *熱フィラメントCVD ,  *表面成長

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイヤモンド ,  InAlN ,  GaN ,  HEMT