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J-GLOBAL ID：201102278318342847   整理番号：11A0172085

ビスマスナノチューブの安定性と電子的性質

Stability and Electronic Properties of Bismuth Nanotubes

著者 (3件)： RASCHE Bertold (Technical Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  SEIFERT Gotthard (Technical Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  ENYASHIN Andrey (Technical Univ. Dresden, Dresden, DEU)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 50  ページ： 22092-22097  発行年： 2010年12月23日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論計算を用いて二層ビスマスナノチューブの立体構造及び電子構造を調べ,バルク状態のビスマス,従来知られているナノチューブ及びナノストライプと比較した。ビスマスナノチューブの歪みエネルギーは比較的小さく,また,層間に強いvan der Waals相互作用が働いている。このことが基因となり,二層ビスマスナノチューブの壁部においてはBi原子がジグザグ形に並んでおり,かつ,ナノチューブ断面が六方対称となる。この形態は円筒形の二層ナノチューブ構造や壁部のBiが椅子形配座をとる単層ナノチューブ構造より熱力学的に安定である。ナノストライプは最も安定なビスマスナノ構造であり,前記ジグザグ二層六方断面ナノチューブは直径が11~30Åの範囲でナノストライプと同程度の安定性を示した。電子構造に関する計算結果は,単層及び二層ビスマスナノチューブがバルク状態のビスマスとは異なり半導体であることを示した。

シソーラス用語： *ビスマス ,  *ナノチューブ ,  *安定性 ,  密度汎関数法 ,  立体構造 ,  *電子構造 ,  立体配座 ,  多層 ,  バンド構造 ,  van der Waals力
準シソーラス用語： 二層

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (5件)： ビスマス ,  ナノチューブ ,  安定性 ,  電子 ,  性質