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J-GLOBAL ID：201102279258729794   整理番号：11A0122886

将来の超低k誘電体の有望な候補としての金属-有機骨格

Metal-organic frameworks as promising candidates for future ultralow-k dielectrics

著者 (3件)： ZAGORODNIY K. (Physikalische Chemie, Technische Universitaet Dresden, D-01062 Dresden, DEU) ,  SEIFERT G. (Physikalische Chemie, Technische Universitaet Dresden, D-01062 Dresden, DEU) ,  HERMANN H. (IFW Dresden, P.O. Box 270116, D-01171 Dresden, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 25  ページ： 251905  発行年： 2010年12月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： あるクラスのZn₄O(CO₂)₆系金属-有機骨格(MOF)を半導体素子に応用するため,中間誘電体材料として適当かどうか理論的に分析した。静的誘電定数はClausius-Mossotti法により計算した。調べた約30種類のMOFの内3種類で,極めて低い誘電定数,体積弾性率,及びギャップエネルギーを見いだし,将来の超低k誘電材料の傑出した候補に有利になることが分った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 誘電体 ,  Clausius-Mossotti関係式 ,  *亜鉛錯体 ,  *誘電率 ,  圧縮率 ,  バンドギャップ ,  誘電材料
準シソーラス用語： *配位重合体 ,  *低k誘電体 ,  MOF【配位重合体】 ,  *MOF-5

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 低k誘電体 ,  金属-有機骨格