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J-GLOBAL ID：201102279848340205   整理番号：11A1069079

ブーストコンバータに基づいた3D集積NANDフラッシュSSDのための1.8V低過渡エネルギー適応プログラム電圧発生器

1.8V Low-Transient-Energy Adaptive Program-Voltage Generator Based on Boost Converter for 3D-Integrated NAND Flash SSD

著者 (7件)： ISHIDA Koichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YASUFUKU Tadashi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Shinji (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN) ,  NAKAI Hiroto (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Tokyo, JPN) ,  TAKAMIYA Makoto (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAKURAI Takayasu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKEUCHI Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 46  号： 6  ページ： 1478-1487  発行年： 2011年06月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体ドライブ(SSD)に使われているフラッシュメモリの書き込み速度はハードディスクドライブ(HHD)の1/10である。SSDをHHD並みにするには大電流が必要である。本稿は,ブーストコンバータに基づいたSSDのための適応プログラム電圧発生器を記す。コンバータはスパイラルインダクタ,高電圧MOS回路,適応周波数およびデューティサイクル(AFD)コントローラで構成される。AFDコントローラは様々な出力電圧値において動的にクロック周波数とデューティサイクルを最適化する。消費電力,上昇時間,プログラム電圧発生器の回路面積は,従来のチャージポンプによるプログラム-電圧発生器よりもそれぞれ88%,73%,85%小さくなっている。各NANDフラッシュメモリの合計消費電力は68%減少した。

シソーラス用語： 駆動機構 ,  *フラッシュメモリ ,  DC-DCコンバータ ,  励起 ,  適応制御 ,  稼働率 ,  比率 ,  最適化 ,  消費電力 ,  *電圧発生
準シソーラス用語： NANDフラッシュメモリ ,  *SSD ,  アダプティブコントロール ,  ソリッドステートドライブ ,  チャージポンプ ,  デューティサイクル ,  ブーストコンバータ

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (8件)： ブーストコンバータ ,  3D ,  集積 ,  NANDフラッシュ ,  SSD ,  エネルギー ,  適応 ,  電圧発生