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J-GLOBAL ID：201102279997091609   整理番号：11A0486798

GaAs/Al_xGa_1-xAsとAl_xGa_1-xAs/GaAsコア-シェルナノワイヤの電子構造と光吸収

Electronic structure and optical absorption of GaAs/Al_xGa_1-xAs and Al_xGa_1-xAs/GaAs core-shell nanowires

著者 (3件)： RAVI KISHORE V. V. (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL) ,  PARTOENS B. (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL) ,  PEETERS F. M. (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 82  号： 23  ページ： 235425.1-235425.9  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *ナノワイヤ ,  *電子構造 ,  摂動論 ,  エネルギー準位 ,  基底状態 ,  電子遷移 ,  価電子バンド ,  *光吸収スペクトル ,  キャリア密度 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  半導体薄膜 ,  閉込め ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： k・p法 ,  キャリア閉込め

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  コア-シェル ,  ナノワイヤ ,  電子構造 ,  光吸収