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J-GLOBAL ID：201102280014986122   整理番号：11A0132050

ナノ構造Si_1-xGe_xの熱電気的性質とさらなる改良の可能性

Thermoelectric properties of nanostructured Si_1-xGe_x and potential for further improvement

著者 (7件)： BERA Chandan (CEA-LITEN, 17 rue des Martyrs, BP166, 38042 Grenoble, FRA) ,  SOULIER M. (CEA-LITEN, 17 rue des Martyrs, BP166, 38042 Grenoble, FRA) ,  NAVONE C. (CEA-LITEN, 17 rue des Martyrs, BP166, 38042 Grenoble, FRA) ,  ROUX Guilhem (CEA-LITEN, 17 rue des Martyrs, BP166, 38042 Grenoble, FRA) ,  SIMON J. (CEA-LITEN, 17 rue des Martyrs, BP166, 38042 Grenoble, FRA) ,  VOLZ S. (Lab. d’Energetique Moleculaire et Macroscopique, Centre National de la Rech. Scientifique, CNRS UPR 288, Ecole ...) ,  MINGO Natalio (CEA-LITEN, 17 rue des Martyrs, BP166, 38042 Grenoble, FRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 12  ページ： 124306  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 焼結したSiGe合金の熱電気的性質を理論的に調べ,以前の実験及び新しい実験測定と比べ,さらなる改良の可能性を評価した。Ge及びドーピング濃度を変えて300~1000K温度範囲で予測した体積移動度,熱起電力,熱伝導率を広範に比較して理論手法を検証した。Si_0.8Ge_0.2焼結ナノ粉末に結晶粒界の影響を含め,それを用いて種々の結晶粒度で熱電気的性能指数の最適値を予測した。計算は最先端のn型(p型)材料のさらなる最適化が可能であることを示唆し,1000Kで約5%(4%),室温で16%(6%)向上すると考えられる。結晶粒界のフォノン散乱確率を現在の値よりも高くできれば,さらなる向上が可能である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ナノ構造 ,  *ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  半導体材料 ,  ドーピング ,  熱起電力 ,  *熱伝導率 ,  微粉体 ,  *性能指数 ,  結晶粒界 ,  散乱
準シソーラス用語： ナノ粉末 ,  フォノン散乱

分類 (1件)： 電気的性質  (WB02010Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノ構造 ,  熱電気的性質 ,  可能性