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J-GLOBAL ID:201102281105293428   整理番号:11A1074389

ガードリングを用いたシリコン貫通ビア(TSV)雑音結合と抑制のモデリングと解析

Modeling and Analysis of Through-Silicon Via (TSV) Noise Coupling and Suppression Using a Guard Ring
著者 (15件):
資料名:
巻:号: 1/2  ページ: 220-233  発行年: 2011年01月 
JST資料番号: W0590B  ISSN: 2156-3950  CODEN: ITCPC8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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最近,二次元SiPパッケージによる従来の二次元システムでは,同時に低コスト,小型化および高性能であるためには,その平面領域では,厳しい問題に直面している。本稿では,新しいTSV雑音結合モデルをTSVおよびシリコン基板ユニットセルモデルの等価回路モデルの組合わせに基づいて提案した。そのモデルには,RDL,メタル相互接続,および基板接触のための回路モデルを含んでいる。それらは,三次元集積回路システム設計に適用可能である。提案したTSV雑音結合モデルを用いて,TSVからTSVおよび能動回路への雑音伝達関数を精密に推定可能であった。雑音伝送関数モデルに基づいて,3D-ICにおけるガードリングを用いた雑音遮断技法を提案した。TSVと基板接触間の雑音遮断を実験的に示した。それは,100MHzにて-17dBであり,1GHzにてー10dBであった。
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分類 (2件):
分類
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接続部品  ,  雑音一般 

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