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J-GLOBAL ID：201102281383140667   整理番号：11A0084959

GaAs(001)表面上窒素の原子ドーピング制御

Atomically controlled doping of nitrogen on GaAs(001) surfaces

著者 (4件)： SHIMIZU N ,  INOUE T ,  KITA T ,  WADA O
資料名： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
巻： 301  ページ： 34-37  発行年： 2007年 
JST資料番号： O3553A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  窒素 ,  原子 ,  ドーピング