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J-GLOBAL ID：201102281413696932   整理番号：11A2000203

モノリシック集積型非相反光共振器におけるオンチップ光アイソレーション

On-chip optical isolation in monolithically integrated non-reciprocal optical resonators

著者 (7件)： BI Lei (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  JIANG Peng (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  KIM Dong Hun (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  DIONNE Gerald F. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  KIMERLING Lionel C. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  ROSS C. A. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  HU Juejun (Univ. Delaware, Delaware, USA)
資料名： Nature Photonics  (Nature Photonics)
巻： 5  号： 12  ページ： 758-762  発行年： 2011年12月 
JST資料番号： W2212A  ISSN： 1749-4885  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光アイソレーターや光サーキュレーターなどの非相反フォトニックデバイスは,光通信システムに不可欠な構成要素である。しかし,半導体プラットフォームにおけるそのようなデバイスの集積化は,ウエハー接合を必要とする磁気光学材料と半導体材料が不適合であり,アイソレーターの占有面積が大きいため,困難であった。今回我々は,シリコン上にモノリシックに集積した初の磁気光学アイソレーターについて報告する。我々は,シリコン・オン・インシュレーター基板上の非相反光共振器を用いて,均一な外部磁場中で,1,550nmの通信波長付近において最高19.5dBのアイソレーション比の一方向光伝送を実証している。我々のデバイスは長さが290μmと占有面積が小さく,従来の単結晶ガーネット基板上の集積光アイソレーターよりも著しく小さい。このモノリシック集積型非相反光共振器は,光アイソレーターや光サーキュレーターなどのさまざまな超小型シリコンフォトニックデバイスの基本的構成要素としてとして役立つ可能性があり,将来安価な大規模集積化が可能になるかもしれない。Copyright Nature Publishing Group 2011

シソーラス用語： *半導体集積回路 ,  *光共振器 ,  半導体チップ ,  半導体プロセス ,  SOI構造 ,  信号伝送 ,  サーキュレータ ,  LSI【IC】 ,  相反性 ,  構造 ,  *アイソレーション【IC】
準シソーラス用語： オンチップ ,  シリコンオンインシュレータ ,  フォトニックデバイス ,  フォトニック構造 ,  モノリシック集積回路 ,  光サーキュレータ ,  光伝送 ,  非相反性

分類 (2件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： モノリシック集積 ,  光共振器 ,  オンチップ ,  アイソレーション