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J-GLOBAL ID：201102282394098537   整理番号：11A1269442

どのように結晶成長現象をモデル化するか?モンテカルロ・シミュレーションから探る結晶組成の決まり方~二成分理想固溶体の沿面成長を例にして~

A Study by the Monte Carlo Simulation for Predicting the Chemical Composition of a Growing Crystal: an Exapmple of a Binary Solid Solution

著者 (3件)： 勝野喜以子 (成蹊大) ,  入澤寿美 (学習院大) ,  北村雅夫 (京大)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 38  号： 2  ページ： 114-120  発行年： 2011年07月 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 蒸気から成長する理想的2元固溶体の成長層上に原子を取り込むための本質的過程を明らかにするために適用したモンテカルロシミュレーションの筆者らの最近の研究を紹介する。結晶は単純立方格子であるとして格子模型を用いた。ここでは固体上固体模型を用いた。モンテカルロシミュレーションでは,原子種X(AかB)で構成される結晶表面上に,原子種Xの原子が分圧に依存した割合で吸着と脱着を反復することにより結晶が成長すると考える。沿面成長状態での結晶組成の決まり方を明確にするために,沿面成長状態のシミュレーション結果に焦点を絞った。シミュレーション結果に基づいて,原子がステップやキンクに取り込まれてからバルクになるまで,結晶表面で起きている現象の物理的描像を明らかにした。シミュレーションは,テラス,特にキンク部位周辺からの原子の脱着が成長する固溶体のバルク組成を強く制御することを明らかにした。

シソーラス用語： モンテカルロ法 ,  計算機シミュレーション ,  *固溶体 ,  *気相成長 ,  *格子模型 ,  分圧 ,  吸着 ,  脱着 ,  表面ステップ ,  キンク ,  計算機利用 ,  利用

分類 (1件)： 結晶成長一般  (BK13010Q)

引用文献 (11件)：

• BURTON, J. A. J. Chem. Phys. 1953, 21, 1987
• VAN ERK, W. J. Crystal Growth. 1982, 57, 71
• CHERNOV, A. A. Soviet Physics Uspekhi. 1970, 13, 101
• GILMER, G. H. 1976 Crystal Growth and Materials. 1977, 80
• MATSUMOTO, N. J. Crystal Growth. 2001, 222, 667

タイトルに関連する用語 (9件)： 結晶成長 ,  現象 ,  モデル化 ,  モンテカルロ・シミュレーション ,  結晶 ,  組成 ,  二成分 ,  固溶体 ,  成長