文献

J-GLOBAL ID：201102282414781905   整理番号：11A0306252

トランジスター型量子井戸光変調器とその高周波リンクにおける性能

Transistor Based Quantum Well Optical Modulator and Its Performance in RF Links

著者 (3件)： ZHANG Y. (Univ. of Conn., CT, USA) ,  VANG T. A. (Univ. of Conn., CT, USA) ,  TAYLOR G. W. (Univ. of Conn., CT, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7817  ページ： 781702.1-781702.13  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs,InGaAs量子井戸をSi基板上に分子線エピタキシー(MBE)によって成長させたヘテロ接合構造の電界放射トランジスター(HFET)による電界吸収型光変調器の作成に成功し,動作確認を済ませた。この光変調器の吸収応答や線形高周波(RF)リンク走査の可能性を調べた。2種類の量子井戸,AlGaAs/GaAsおよびInGaAs/GaAsによる光変調器の構造の詳細を述べている。その作製は分子線エピタキシーと自己整列型反射ゲート層作製技術によっている。量子井戸の吸収応答の一般モデルを開発,吸収係数αのフェルミレベルによる波長応答性の相違,あるいは電荷密度のバイアス条件による変化などを理論的に求め,HFETのフェルミレベルを決定した。これらを実験値でのαの波長特性や伝送特性と比較,極めてよい一致を見てモデルや解析法の妥当性を確認した。吸収端シフトはInGaAs/GaAsでは0.02 eVを得ている。最終的にはリンク性能をOIP3とバイアス電圧の関連で調べ,SFDR値も120dB以上を得ておりリンク機能も果たせるとした。

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *MBE成長 ,  基板 ,  ケイ素 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *光変調素子 ,  *結合回路
準シソーラス用語： HFET ,  電界吸収型光変調器 ,  高周波リンク

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  光変調器  (BD06020W)

タイトルに関連する用語 (4件)： トランジスター ,  量子井戸 ,  光変調器 ,  高周波リンク