文献

J-GLOBAL ID：201102282779468645   整理番号：10A1530138

Si(100)面からのD₂脱着の拡散促進脱着機構

Diffusion-promoted-desorption mechanism for D₂ desorption from Si(100) surfaces

著者 (4件)： NARITA Y. ,  INANAGA S. ,  UNOKO C. ,  NAMIKI A.
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 605  号： 1-2  ページ： 32-39  発行年： 2011年01月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)面からのD₂分子の脱着のTPDスペクトルおよび等温脱着速度を計算し実験によるβ_1,A-TPDスペクトルおよび等温脱着速度曲線を再現できた。拡散促進脱着(DPD)機構においてSi(100)(2×1)面からの水素脱着は二重占有Si二量体(DOD)から隣接非占有Si二量体(UOD)へのD原子拡散により進行する。DDD間のクラスタ化相互作用を考慮してDODとUODの対からなる脱着サイトの被覆率θ_DUをモンテカルロ法(MC)により推算した。β_1,AピークのTPDを脱着速度式R=ν_Aexp(-E_d,A/k_BT)θ_DU,ここにν_Aは前置係数,E_d,Aは脱着障壁,の数値積分により求めた。E_d,A=1.6eVおよびν_A=2.7×10⁹/sにおけるTPDスペクトルの計算結果は0.01~0.74MLの広い被覆率範囲のTPD実測値とよい一致を示した。即ち,被覆率依存性TPDスペクトルおよび等温脱着速度曲線の一次速度式からのずれをモデルシミュレーションにより再現できた。実測TPDデータおよび非常に低い脱着障壁の両者を再現できたことは提案したDPD機構が正しいことを示す。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  結晶面 ,  *重水素 ,  *脱着 ,  昇温脱離 ,  脱着速度 ,  被覆率 ,  二量体 ,  相互作用 ,  モンテカルロ法 ,  *計算機シミュレーション ,  ポテンシャル障壁 ,  *計算機利用 ,  *利用
準シソーラス用語： TPD【脱着】

分類 (2件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  分子・遺伝情報処理  (JE15040B)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  脱着 ,  拡散 ,  促進