RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO<sub>2</sub>薄膜の作製と,その光触媒特性

ISAI M.; ITO T.; ENDO T.; SAKAI T.; HOSHI Y.

文献

J-GLOBAL ID：201102282883291730 整理番号：11A0183048

RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO₂薄膜の作製と,その光触媒特性

Preparation of TiO₂ thin films by RF magnetron sputtering method and their photoacatalytic properties

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資料名：
巻： 35 号： 4 ページ： 901-904 発行年： 2010年12月
JST資料番号： L4468A ISSN： 1382-3469 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

低温でのTiO₂薄膜の作製を意図して,TiO₂粉末をターゲットとし,無加熱もしくは300°Cに加熱した無アルカリガラスを基材として,入射出力を150Wもしくは200Wとして,5Paもしくは10PaのAr雰囲気で,120分間,RFマグネトロンスパッタリング法でTiO₂薄膜を析出した。得られた皮膜の透過率,XRD図,親水性,有機物分解能などを評価した。アナターゼ型の結晶が得られた。結晶には配向性があった。製品は優れた有機物分解能を持っていた。光触媒能は10Paの製品の方が良かった。

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酸化物薄膜 , 光化学一般

引用文献 (14件)：

A. Fujishima and K. Honda, “Electrochemical Photolysis of Water at a Semiconductor Electrode”, Nature 37 pp. 238(1972).
P. Zeman, S. Takabayashi, “Effect of total and oxygen partial pressures on structure of photocatalytic TiO₂ films sputtered on unheated substrate”, Surface and Coatings Technology 153, pp. 93-99(2002).
J. Musil, D. Herman and J. Sicha, “Low-temperature sputtering of crystalline TiO₂ films”, Journal of Vacuum Science Technology A Vol.24 No.3 pp. 521-528, 2006.
T. Endo, Y. Mizuchi and M. Isai, “Preparation of TiO₂ films by RF magnetron sputtering method”, IEICE Technical Report ED2008-6 CPM2008-14 SDM2008-26(2008-5), pp. 23-28, 2008.
T. Yazaki, T. Nagata, T. Takahashi and Y. EMA, “Preparation of N-doped TiO₂ Thin Films by Sputtering Using TiO₂: TiN Mixed Target”, IEICE Technical Report ED2007-27 CPM2007-26 SDM2007-27 (2007-05), pp. 97-102, 2007.

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