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J-GLOBAL ID:201102283066089314   整理番号:11A1208925

Siナノシートの電子輸送性質:直接トンネリングからFowler-Nordheimトンネリングへの転移

Electron transport properties of Si nanosheets: Transition from direct tunneling to Fowler-Nordheim tunneling
著者 (6件):
資料名:
巻: 99  号:ページ: 023107  発行年: 2011年07月11日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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室温真空下で導電性片持ち梁を用いる原子間力顕微鏡によりn-デシルアミン官能基化Siナノシート(NSs)の電子輸送性質を特性評価した。電子は片持ち梁からSiNSsを通り基板に輸送された。SiNSsは非共鳴トンネリング示したを示した。即ち輸送メカニズムは低バイアス電圧では直接トンネリング,高バイアス電圧ではFowler-Nordheimトンネリングを基にしていた。(翻訳著者抄録)
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