文献

J-GLOBAL ID：201102283522755690   整理番号：11A0436817

イオンプレーティング法によって調製されたGaドープZnOのキャリア濃度の酸素圧依存性

Dependence of carrier concentrations on oxygen pressure for Ga-doped ZnO prepared by ion plating method

著者 (4件)： YAMAMOTO I ,  SAKEMI I ,  AWAI K ,  SHIRAKATA S
資料名： THIN SOLID FILMS
巻： 451-52  ページ： 439-442  発行年： 2004年 
JST資料番号： O6387A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： イオンプレーティング法 ,  調製 ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO ,  キャリア濃度 ,  酸素圧 ,  依存性