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J-GLOBAL ID：201102283607459900   整理番号：11A1836246

ヘテロエピタキシァル酸化インジウムスズ膜における電気とガスセンシングの配向および厚み依存性

Orientation and thickness dependence of electrical and gas sensing properties in heteroepitaxial indium tin oxide films

著者 (2件)： YANG Myung (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Res. Inst. of Advanced Materials, Seoul National Univ., San 56-1 ...) ,  HONG Seong-hyeon (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Res. Inst. of Advanced Materials, Seoul National Univ., San 56-1 ...)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 160  号： 1  ページ： 490-498  発行年： 2011年12月15日 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロエピタクシァル酸化インジウムスズ(ITO)膜を,rfマグネトロンスパッタリングにより,異なる3つの配向をしたイットリア安定化ジルコニア(YSZ)基板((100),(110),(111))上に成長させ,それらの構造キャラクタリゼーションと電気とガスセンシング特性について検討した。非常に薄い層上に初期に形成されたITOは島状構造を示し,堆積を続けた後では連続膜になった。ITO膜とYSZ基板間のヘテロエピタキシァル関係は,X線回折,極点図,および高分解能電子顕微鏡(HRTEM)により確かめられた。光電子X線スペクトロスコピー(XPS)により決定した化学組成は,基板配向に依存して初期には若干異なったが,しかしそれはより長い堆積後には似たようなものになった。Hall測定から,ITO膜の電気抵抗率は,膜配向にはかかわらず,堆積時間(あるいは膜厚)が増すと減少した。(110)YSZ上に10s堆積したITO膜は最も高い電気抵抗率を示した。(110)YSZ上に10s堆積したITO膜から作製したガスセンサは,比較的低い温度(100°C)で最も高いNO₂ガス応答を示したが,このことは,その膜のSn濃度がより高く,表面粗さがより大きいことに起因した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化インジウムスズ ,  *酸化物 ,  *薄膜 ,  *ガスセンサ ,  配向 ,  厚み ,  依存性 ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  基板 ,  島状構造 ,  X線回折 ,  極点図 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  *電気抵抗率 ,  二酸化窒素 ,  濃度依存性 ,  表面粗さ ,  応答 ,  検出器 ,  *ヘテロエピタクシー ,  YSZ【セラミック】 ,  厚み依存性 ,  *酸化物薄膜 ,  電気的検知器

分類 (3件)： 分析機器  (CC02020S) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化インジウムスズ ,  配向 ,  厚み依存性