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J-GLOBAL ID：201102284053240150   整理番号：11A0566239

Pb(Zr_0.8TiO₂)O₃薄膜中の欠陥双極子により誘起した二重ヒステリシスループ

Double hysteresis loop induced by defect dipoles in ferroelectric Pb(Zr^0.8Ti^0.2)O³ thin films

著者 (9件)： PU Yunti (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN) ,  ZHU Jiliang (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN) ,  ZHU Xiaohong (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN) ,  LUO Yuansheng (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN) ,  WANG Mingsong (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN) ,  LI Xuhai (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN) ,  LIU Jing (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN) ,  ZHU Jianguo (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN) ,  XIAO Dingquan (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 109  号： 4  ページ： 044102  発行年： 2011年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pb(Zr_0.8TiO₂)O₃(PZT80/20)薄膜をPt(111)/Ti/SiO₂/Si(100)基板上にRFマグネトロンスパッタリングにより蒸着した。X線回折で決定した高(202)優先配向した主要ペロブスカイト型結晶相がジルコニウム酸チタン酸鉛(PZT)(80/20)薄膜中に形成された。非焼なまし試料と時効処理膜の分極測定は明白な二重ヒステリシスループを示した。しかし,二重ヒステリシスループ現象は純酸素中で焼なましたPZT薄膜中では大きく抑制され,従って大きな残留分極(P_r=6.3μC/cm²)を示した。狭窄した二重ヒステリシスループの出現に関係する機構は,酸素八面体回転又は酸素空格子点拡散を通した欠陥双極子の再整列と分離に関係した。谷を持つ蝶形C-V特性曲線は非焼なまし及び時効PZT薄膜の二重ヒステリシスループ特性のさらなる証拠を与える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  *電気双極子 ,  二酸化ケイ素 ,  マグネトロンスパッタリング ,  薄膜成長 ,  X線回折 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  焼なまし ,  時効処理 ,  *曲線 ,  残留分極 ,  空格子点
準シソーラス用語： *ヒステリシスループ ,  強誘電体薄膜 ,  *欠陥双極子 ,  酸素空格子点

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： Pb ,  O3 ,  薄膜 ,  欠陥双極子 ,  誘起 ,  ヒステリシスループ