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J-GLOBAL ID:201102284548345250   整理番号:11A0106962

TiO2-P25または硫酸化チタニアを用いた室温でのアミンのN-ホルミル化の便利な方法

A convenient method for the N-formylation of amines at room temperature using TiO2-P25 or sulfated titania
著者 (2件):
資料名:
巻: 334  号: 1-2  ページ: 98-102  発行年: 2011年01月04日 
JST資料番号: B0605C  ISSN: 1381-1169  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ホルミル化剤としてギ酸を用いた種々のアミンの半導体触媒によるN-ホルミル化を調べた。第一アミン及び第二アミンはTiO2-P25または硫酸化チタニアの存在下でギ酸と効率的に反応して,室温において高収率でN-ホルミル誘導体を与えることが分かった。アミンのN-ホルミル化で,硫酸化チタニアはTiO2-P25よりもより効率的で再使用性であることが分かった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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その他の触媒  ,  塩基,金属酸化物  ,  付加反応,脱離反応 
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物質索引
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