文献

J-GLOBAL ID：201102285038296501   整理番号：11A1892230

ケルビンプローブフォース顕微鏡により観察されたシリコン-オン-インシュレータチャネル中のリンドナーへの電子注入の効果

Effect of electron injection into phosphorus donors in silicon-on-insulator channel observed by Kelvin probe force microscopy

著者 (7件)： ANWAR Miftahul (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  NOWAK Roland (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  MORARU Daniel (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  UDHIARTO Arief (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  MIZUNO Takeshi (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  JABLONSKI Ryszard (Div. of Sensors and Measuring Systems, Warsaw Univ. of Technol., Sw. A. Boboli 8, 02-525 Warsaw, POL) ,  TABE Michiharu (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 21  ページ： 213101  発行年： 2011年11月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン-オン-インシュレータ金属-酸化物-半導体電界-効果-トランジスタ中の個々のリン-ドナーのポテンシャル井戸に13Kおよび300Kで電子注入した効果をケルビンプローブ力顕微鏡により比較的に調べた。結果として,13Kでは個々のドナーを通っての単一電子のトンネリング輸送を反映して,リン-ドナーポテンシャル井戸中に満たされた局所化した単一電子が見出される。しかしながら,300Kではドリフト-拡散輸送を反映して,多数のリン-ドナーにわたって満たされた空間的に広がった連続的な電子が観測される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 力顕微鏡 ,  SOI構造 ,  *MOSFET ,  チャネル ,  *キャリア注入 ,  *ドナー ,  *単一電子トンネル効果 ,  低温 ,  リン
準シソーラス用語： Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  *電子注入

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ケルビンプローブフォース顕微鏡 ,  観察 ,  シリコン ,  インシュレータ ,  チャネル ,  リン ,  ドナー ,  電子注入