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J-GLOBAL ID：201102285107553333   整理番号：11A0821517

バイアス電圧印加でのパルスレーザー蒸着によって形成されたZnO:V膜の磁気特性

Magnetic properties of ZnO:V films formed by pulsed laser deposition with bias voltage application

著者 (6件)： ASANO Kei (Dep. of Electronics and Information Systems, Akita Prefectural Univ., 84-4 Tsuchiya, Ebinokuchi, Yuri-Honjo, Akita ...) ,  DOI Shingo (Dep. of Electronics and Information Systems, Akita Prefectural Univ., 84-4 Tsuchiya, Ebinokuchi, Yuri-Honjo, Akita ...) ,  YAMAGUCHI Hiroyuki (Dep. of Electronics and Information Systems, Akita Prefectural Univ., 84-4 Tsuchiya, Ebinokuchi, Yuri-Honjo, Akita ...) ,  KOMIYAMA Takao (Dep. of Electronics and Information Systems, Akita Prefectural Univ., 84-4 Tsuchiya, Ebinokuchi, Yuri-Honjo, Akita ...) ,  CHONAN Yasunori (Dep. of Electronics and Information Systems, Akita Prefectural Univ., 84-4 Tsuchiya, Ebinokuchi, Yuri-Honjo, Akita ...) ,  AOYAMA Takashi (Dep. of Electronics and Information Systems, Akita Prefectural Univ., 84-4 Tsuchiya, Ebinokuchi, Yuri-Honjo, Akita ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 29  号： 3  ページ： 03A119  発行年： 2011年05月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： V原子(3d遷移金属)をドープしたZnO膜の磁気特性を,バイアス電圧印加によるパルスレーザー蒸着(PLD)を用いて試料を作成することによって研究した。ZnO:V膜の電子濃度は二つの方法で変化させた。一つは通常のn型及びp型の不純物でドープする方法で,他は膜蒸着中にバイアス電圧を印加することによって固有の(ドナー型)の欠陥濃度を変化させる方法である。M-H曲線では,低電子濃度(5×10¹⁶cm^-3)を持つ膜に関して,より小さな磁化が観察され,これは印加した磁場に伴って線形的に増加した。一方中間の電子濃度(5×10¹⁸cm^-3)を持つ膜で,より大きな磁化が観察され,約3kOeで飽和を示した。飽和磁化は,ドーパント不純物を用いて形成された,あるいはPLDバイアス電圧を用いて形成された両方の膜に関して,1×10¹⁸~5×10¹⁸の範囲の電子濃度に対して,最大値を示した。膜の異常Hall効果測定は,M-H曲線中で磁化の飽和が生じるにつれて,同じ磁場でのHall抵抗の収束を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ドーピング ,  バナジウム ,  *レーザ蒸着 ,  キャリア密度 ,  磁気ヒステリシス ,  異常Hall効果 ,  *磁性半導体 ,  化合物半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  *磁化特性 ,  半導体薄膜 ,  飽和磁化 ,  磁性薄膜

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： バイアス ,  電圧印加 ,  パルスレーザー蒸着 ,  ZnO ,  磁気特性