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J-GLOBAL ID：201102285776934539   整理番号：11A1908739

固相のエピタキシャル成長により生成した双晶欠陥形成の重要性: 原子論的研究

Importance of twin defect formation created by solid-phase epitaxial growth: An atomistic study

著者 (1件)： MARTIN-BRAGADO Ignacio (IMDEA Materials Inst., C/ Profesor Aranguren s/n., 28040 Madrid, ESP)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 66  号： 3-4  ページ： 186-189  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 格子速度論Monte Carloモデルを用い固相エピタキシャル成長(SPEG)中に生成する双晶欠陥形成の重要性を示し,種々のけい素基板方位におけるSPEG速度を的確に説明した。特に,SPEG欠陥の生成はSi(311)とSi(111)に近い基板角度における生成速度を理解するための基本である。モデルを実験観察結果と比較,異なるSi基板に対するSPEG速度,形状発達および界面粗さへの双晶欠陥の影響について述べる。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  *固相成長 ,  モンテカルロ法 ,  双晶 ,  格子欠陥 ,  結晶方位 ,  *成長速度 ,  再結晶 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： *固相エピタキシャル成長 ,  キネティックモンテカルロ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 固相 ,  エピタキシャル成長 ,  双晶 ,  欠陥形成 ,  重要性 ,  研究