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J-GLOBAL ID：201102285862250901   整理番号：11A2004101

Al/ローダミン-101/n-GaAsScottkyバリア・ダイオードの温度に依存する負のキャパシタンス挙動とC-VおよびG/ω-V特性に対するR_s効果

Temperature dependent negative capacitance behavior of Al/rhodamine-101/n-GaAs Schottky barrier diodes and R _s effects on the C-V and G/ω-V characteristics

著者 (4件)： VURAL Oezkan (Amasya Univ., Fac. of Sciences and Arts, Dep. of Physics, Amasya, TUR) ,  SAFAK Yasemin (Dep. of Physics, Fac. of Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR) ,  TUERUET Abduelmecit (Atatuerk Univ., Fac. of Sciences and Arts, Dep. of Physics, 25240 Erzurum, TUR) ,  ALTINDAL Semsettin (Dep. of Physics, Fac. of Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 513  ページ： 107-111  発行年： 2012年02月05日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負のキャパシタンスの起源を説明する目的で,我々はAl/ローダミン-101/n-GaAsScottkyバリア・ダイオード(SBDs)のキャパシタンス-電圧(C-V)およびコンダクタンス-電圧(G/ω-V)測定を,110~290Kの温度範囲で1MHzにおいて,直列抵抗(R_s)効果を考慮して研究した。実験結果は,CとG/ωの値が温度とバイアス電圧の強い関数であることが見出されたことを示す。強い負のキャパシタンス(NC)現象がそれぞれの温度に対するC-Vプロット中に観察された。順方向バイアスにおいてNCの値は温度の上昇と共に低下し,このNCの低下はコンダクタンスの増大に対応していることが明らかである。順方向バイアス領域のそのようなCの挙動は,衝撃イオン化過程のために金属/半導体界面に局在化した界面電荷のロスにより説明可能である。また,R_sの大きさは低温キャパシタンスに対する負の寄与を引き起こす。さらに,順方向および逆方向バイアス下で測定した高周波数CおよびG/ω値を,R_sの影響を削除することにより補正し,真のダイオードキャパシタンスを得た。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *静電容量 ,  *アルミニウム ,  酸素複素環化合物 ,  *ヒ化ガリウム ,  N型半導体 ,  容量電圧特性 ,  コンダクタンス ,  電圧 ,  バイアス ,  界面 ,  半導体金属接合 ,  *温度依存性 ,  *電気抵抗
準シソーラス用語： Schottkyバリアダイオード ,  キャパシタンス ,  バイアス電圧 ,  金属-半導体界面 ,  直列抵抗

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

物質索引 (1件)： ローダミン101

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  ローダミン ,  バリア ,  ダイオード ,  キャパシタンス ,  挙動