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J-GLOBAL ID：201102287360246474   整理番号：11A1642542

熱酸化したクロム汚染n型珪素ウエハの交流表面光起電力

Alternating current surface photovoltage in thermally oxidized chromium-contaminated n-type silicon wafers

著者 (3件)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ., Coll. of Engineering, 963-8642, Koriyama, Fukushima, JPN) ,  NAGASE Shintarou (Nihon Univ., Coll. of Engineering, 963-8642, Koriyama, Fukushima, JPN) ,  IKEDA Masanori (Nihon Univ., Coll. of Engineering, 963-8642, Koriyama, Fukushima, JPN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 104  号： 3  ページ： 929-934  発行年： 2011年09月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 373Kで10分間酸化すると,Schottky障壁が崩壊し,さらなる酸化により,金属誘起負酸化物電荷が時間と共に明確に増加した。823~1023Kで30分間酸化した試料では,金属誘起負酸化物電荷はSi表面状態を強く反転させた。1023K以上及び/又は60分以上の酸化では,交流表面光起電力のレベルが低下し,強く反転した状態が低空乏状態に変化し,最後に交流表面光起電力が消失することを示唆した。この場合,(CrOSi)^-及び/又はCrO₂^-ネットワークの崩壊が予測され,恐らくCr₂O₃へ変化する。Copyright 2011 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： N型半導体 ,  *ウエハ【IC】 ,  *光起電力 ,  熱酸化 ,  *表面準位 ,  酸化クロム ,  *表面光起電力 ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *ケイ素ウエハ ,  表面状態

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱酸化 ,  クロム ,  汚染 ,  珪素ウエハ ,  交流 ,  表面光起電力