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J-GLOBAL ID：201102287965220442   整理番号：11A0111547

コンビナトリアルNd:YAG-PLD法による新規磁束ピンニング材料の高速スクリーニング

著者 (7件)： 一野祐亮 (名古屋大) ,  吉田隆 (名古屋大) ,  吉村拓也 (名古屋大) ,  高井吉明 (名古屋大) ,  鈴木浩二 (静大) ,  竹内稔晃 (静大) ,  喜多隆介 (静大)
資料名： 低温工学・超電導学会講演概要集  (低温工学・超電導学会研究発表会講演概要集)
巻： 83rd  ページ： 17  発行年： 2010年12月01日 
JST資料番号： G0564B  ISSN： 0919-5998  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： これまで,初期コスト,ランニングコストが安価なNd:YAGレーザーを用いてYBCO薄膜を作製し,エキシマレーザーと遜色ないことを明らかにしてきた。また,コンビナトリアル法を用いることで,磁束ピン止め材料添加量を高速に最適化できることも報告した。現在,このコンビナトリアル法を用いて新規ピン止め材料の探索を行っている。今回は,YBCOと反応しにくい材料として,Ba-Tb-O化合物とIn-Ba-Cu-O化合物を添加したYBCO薄膜を作製した。その結果,両物質共に添加量の増加に伴ってTcが低下する傾向が見られたが,In-Ba-Cu-OではJcの磁場印加角度依存性において,B//cでJcのピークが見られた。つまり,何らかのc軸相関ピンが生じていることを示している。現在の所,BSOやBZO添加程劇的な向上は得られていないが,他のIn系化合物がc軸相関を持った新規ピン止め材料となり得る可能性を示唆している。(著者抄録)

シソーラス用語： コンビナトリアルケミストリー ,  *Nd-YAGレーザ ,  *磁束ピン止め ,  スクリーニング ,  *YBCO薄膜 ,  *バリウム化合物 ,  *テルビウム化合物 ,  *酸化物 ,  *インジウム化合物 ,  *銅化合物 ,  転移温度 ,  角度依存性 ,  外部磁場 ,  異方性 ,  *臨界電流密度 ,  レーザ蒸着 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *PLD法

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Nd ,  YAG ,  PLD法 ,  磁束ピンニング ,  スクリーニング