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J-GLOBAL ID：201102288273588195   整理番号：11A1543280

半球型頂点ナノプローブを用いた埋込InGaAs/GaAs量子ドット位置推定の改善

Improved estimation of embedded InGaAs/GaAs quantum dots locations using a domed-apex nanoprobe

著者 (7件)： XU Lixia (Jilin Univ., Coll. of Mechanical Sci. and Engineering, 719 Machinery and Material Hall, 5988 RenMing Road, Changchun ...) ,  ARAI Yoshio (Saitama Univ., Graduate School of Sci. and Engineering, 255 Shimo-Ohkubo, Sakura-ku, Saitama 338-0825, JPN) ,  ARAKI Wakako (Saitama Univ., Graduate School of Sci. and Engineering, 255 Shimo-Ohkubo, Sakura-ku, Saitama 338-0825, JPN) ,  OGAWA Takahiro (Saitama Univ., Graduate School of Sci. and Engineering, 255 Shimo-Ohkubo, Sakura-ku, Saitama 338-0825, JPN) ,  OZASA Kazunari (RIKEN, Advance Sci. Inst., 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  MAEDA Mizuo (RIKEN, Advance Sci. Inst., 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  HARA Masahiko (RIKEN, Advance Sci. Inst., 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 29  号： 5  ページ： 051808  発行年： 2011年09月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノプローブを走査する際の低温(10K)フォトルミネセンス(PL)を測定する半球型頂点ナノプローブを用いることにより,埋込InGaAs/GaAs量子ドット(QD)の位置の推定を改善できることを示した。個々のQDはナノプローブにより誘起される歪みを受け,増強された微細なPLピークを示した。PL発光の結果を用いて,PLピークエネルギーが最大となるプローブ位置に対する単一QDの位置を追跡した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： プローブ ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *量子ドット ,  光ルミネセンス ,  *推定
準シソーラス用語： フォトルミネセンス ,  *位置推定

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 半球 ,  頂点 ,  ナノプローブ ,  埋込 ,  InGaAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  位置推定