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J-GLOBAL ID：201102288509039767   整理番号：11A0005004

ハイブリッド低速・高速ゲート設計によるAlGaN/GaNマイクロ波スイッチ

AlGaN/GaN Microwave Switch With Hybrid Slow and Fast Gate Design

著者 (5件)： SATTU A. (Sensor Electronic Technol., SC, USA) ,  YANG J. (Sensor Electronic Technol., SC, USA) ,  SHUR M. (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  GASKA R. (Sensor Electronic Technol., SC, USA) ,  SIMIN G. (Univ. South Carolina, SC, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 12  ページ： 1389-1391  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波トランジスタスイッチの高性能化のため,オフ状態容量を低減する新たなゲート設計を提示した。通常のメタルゲート(高速ゲート)の下に特性時間の長い「低速ゲート」層を設けてソースドレイン領域のチャネル完全空乏を可能とし,ゲート・チャネル間容量を低減する。InGaN低速ゲート層を設けたAlGaN/GaN単極双投MMICスイッチを実証し,提案アプローチを確証した。従来設計との比較で,6GHzの挿入損が0.5dB減少し,アイソレーションが5dB増大した。

シソーラス用語： *マイクロ波集積回路 ,  *静電容量 ,  FET【トランジスタ】 ,  *ゲート【半導体】 ,  挿入損 ,  アイソレーション【IC】 ,  *半導体素子 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： HFET ,  窒化物半導体 ,  *半導体スイッチ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低速 ,  ゲート ,  設計 ,  AlGaN ,  GaN ,  マイクロ波スイッチ