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J-GLOBAL ID：201102288593620577   整理番号：11A1842623

グラフェン膜上に作製された可撓性無機ナノ構造発光ダイオード

Flexible Inorganic Nanostructure Light-Emitting Diodes Fabricated on Graphene Films

著者 (10件)： LEE Chul-Ho (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Chul-Ho (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyeongbuk, KOR) ,  KIM Yong-Jin (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Yong-Jin (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyeongbuk, KOR) ,  HONG Young Joon (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HONG Young Joon (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyeongbuk, KOR) ,  JEON Seong-Ran (Korea Photonics Technol. Inst., Gwangju, KOR) ,  BAE Sukang (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  HONG Byung Hee (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  YI Gyu-Chul (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 23  号： 40  ページ： 4614-4619  発行年： 2011年10月25日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si/SiO₂基板上にグラフェン膜を蒸着し,その上にZnOナノロッドアレイを作製し,ナノロッドの半径方向にn-GaNおよびIn_xGa_1-xN/GaN多重量子井戸(MQW)層,最後にMgドープp-GaN層を析出させた。上層にNi/Au層を析出させた後ポリメタクリル酸メチル(PMMA)でナノロッドアレイ層の空隙を満たした。SiO₂をエッチングしてグラフェン/ナノロッドアレイ/PMMA/Ni/Auを剥離し,ポリエチレンテレフタレート/Cu基板にボンディングして可撓性無機ナノ構造発光ダイオードを作製した。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  炭素材 ,  酸化亜鉛 ,  窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  *ポリエチレンテレフタレート ,  配列 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  多重量子井戸 ,  *柔軟性 ,  グラフェン
準シソーラス用語： ナノロッドアレイ ,  *可撓性

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン膜 ,  作製 ,  可撓性 ,  ナノ構造 ,  発光ダイオード