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J-GLOBAL ID：201102288762388840   整理番号：11A1873182

C₆₀-Coハイブリッド薄膜の電子・スピン状態と巨大トンネル磁気抵抗効果

著者 (14件)： 境誠司 (原研 先端基礎研) ,  松本吉弘 (原研 先端基礎研) ,  菅井勇 (東北大 金属材料研) ,  三谷誠司 (東北大 金属材料研) ,  高梨弘毅 (原研 先端基礎研) ,  高梨弘毅 (東北大 金属材料研) ,  高木康多 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  中川剛志 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  横山利彦 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  島田敏宏 (東大) ,  楢本洋 (原研 先端基礎研) ,  岡安悟 (原研 先端基礎研) ,  前田佳均 (原研 先端基礎研) ,  前田佳均 (京大)
資料名： 日本磁気学会学術講演概要集  (Abstracts. Annual Conference on Magnetics in Japan)
巻： 32nd  ページ： 156  発行年： 2008年09月12日 
JST資料番号： Y0056A  ISSN： 1882-2959  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： トンネル効果 ,  *巨大磁気抵抗効果 ,  フラーレンC60 ,  コバルト ,  *誘電体薄膜 ,  磁気モーメント ,  温度依存性 ,  スピン分極 ,  トンネル磁気抵抗効果

分類 (1件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (6件)： C60 ,  CO ,  薄膜 ,  電子 ,  スピン状態 ,  トンネル磁気抵抗効果