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J-GLOBAL ID:201102288893918594   整理番号:11A1215811

90nm CMOSによる単一境界-多相制御および電圧領域スタッキングモノリシック容量性DC-DCコンバータ

Monolithic Capacitive DC-DC Converter With Single Boundary-Multiphase Control and Voltage Domain Stacking in 90nm CMOS
著者 (2件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 1715-1727  発行年: 2011年07月 
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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容量性DC-DCコンバータは,次世代の集積化DC-DC変換のソリューションの優れた候補になると約束されている。本論文では,150mWの出力電力容量,77%のピーク効率および74%の全負荷効率の90nm CMOSによる完全集積化容量性ステップダウンDC-DCコンバータについて述べた。このDC-DCコンバータは単一境界-多相制御により制御される。この制御法は制御ループ帯域幅に妥協することなく多相容量性DC-DCコンバータに対する低電力ソリューションを提供する。ここではDC-DCコンバータの設計,製作,測定について記述した。
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分類 (1件):
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電源回路 

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