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J-GLOBAL ID：201102289533690459   整理番号：11A0401411

第一原理計算による超硬B₂C₂N₂化合物

Superhard B₂C₂N₂ compounds from first-principles calculations

著者 (4件)： XIAOGUANG Luo (Coll. of Information Technical Sci., Nankai Univ., Tianjin 300071, CHN) ,  LUYAN Li (Coll. of Information Technical Sci., Nankai Univ., Tianjin 300071, CHN) ,  WEIHUA Wang (Coll. of Information Technical Sci., Nankai Univ., Tianjin 300071, CHN) ,  YONGJUN Tian (State Key Lab. of Metastable Materials Sci. and Technol., Yanshan Univ., Qinhuangdao 066004, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 109  号： 2  ページ： 023516  発行年： 2011年01月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3C-SiC単位格子から生じる6個の可能なB₂C₂N₂構造に対して構造的,電子的,力学的特性,静圧下での相転移を調べた。計算の結果,C-C及びB-N結合が最大数のB₂C₂N₂-1の全エネルギーが最も低い事を示した。B₂C₂N₂-1は間接バンドギャップが4.10eVのギャップが大きい半導体である。計算で得た弾性スティフネス定数とフォノンスペクトルにより力学的及び動力学的安定性を確認した。計算で得たB₂C₂N₂-1の体積及びずれ弾性率,Vickers硬度によりこの化合物は立方窒化ホウ素よりも硬度が大きい超硬材である可能性を示した。低及び高濃度相間の圧力誘起構造転移によりB₂C₂N₂-1は高温及び高圧法によって合成できる事を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 第一原理 ,  *超硬材料 ,  *ホウ素化合物 ,  *炭化物 ,  *窒化物 ,  *結晶構造 ,  *電子構造 ,  バンド構造 ,  構造相転移 ,  バンドギャップ ,  化合物半導体 ,  フォノン ,  剛性 ,  安定性 ,  押込硬さ ,  剛性率 ,  圧縮率 ,  状態密度
準シソーラス用語： Vickers硬度 ,  スティフネス ,  ずり弾性率 ,  体積弾性率

分類 (1件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (1件)： 第一原理計算