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J-GLOBAL ID：201102289622411083   整理番号：11A1955306

光起電素子用の真空蒸発によって調製したAgInS₂薄膜

AgInS₂ Thin Films Prepared by Vacuum Evaporation for Photovoltaic Devices

著者 (2件)： YAMAMOTO Yukio (Fukui National Coll. of Technol., Fukui, JPN) ,  ARAKAWA Masakazu (Fukui National Coll. of Technol., Fukui, JPN)
資料名： 電気化学および工業物理化学  (Electrochemistry)
巻： 79  号： 12  ページ： 941-942  発行年： 2011年12月05日 
JST資料番号： G0072A  ISSN： 1344-3542  CODEN： EECTFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AgInS₂薄膜を2種の市販二成分化合物(Ag₂S,In₂S₃)から真空蒸発によって調製した。調製した薄膜の構造と光学的性質を調べた。混合比AgInS₂:In₂S₃=1:1.5で良好な品質の膜が調製され,これはCuInS₂太陽電池の窓層の候補として提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光起電素子 ,  *蒸発 ,  薄膜成長 ,  *インジウム化合物 ,  *銀化合物 ,  *硫化物 ,  *薄膜 ,  硫化銀 ,  光学的性質 ,  混合比 ,  銅化合物 ,  太陽電池 ,  光学ギャップ ,  格子整合 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： 光学バンドギャップ ,  *真空蒸発 ,  硫化インジウム ,  *硫化銀インジウム ,  硫化銅インジウム

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (4件)：

• CONTRERAS, M. A. Prog. Photovoltaics Res. Appl. 1999, 7, 311
• SCHEER, R. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 3294
• DUBROVSKII, G. B. Sov. Phys. Solid State. 1961, 3, 943
• NAKAMURA, S. Phys. Status Solidi C. 2009, 6, 1137

タイトルに関連する用語 (4件)： 光起電素子 ,  真空蒸発 ,  調製 ,  薄膜