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J-GLOBAL ID:201102289880635492   整理番号:11A1607660

ミリ波アクティブ撮像のためのビーム成形性を目指すオンチップループアンテナを備えた0.25μm Si-Ge全集積パルス送信器

A 0.25-μm Si-Ge Fully Integrated Pulse Transmitter with On-Chip Loop Antenna Array towards Beam-Formability for Millimeter-Wave Active Imaging
著者 (3件):
資料名:
巻: E94-C  号: 10  ページ: 1626-1633 (J-STAGE)  発行年: 2011年 
JST資料番号: L1370A  ISSN: 0916-8524  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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本稿は,可搬型ミリ波(mm波)アクティブ撮像応用における,ビーム成形目的の54×24のオンチップループアンテナアレイを持った100~120GHzパルス送信器チップを提示した。著者らは電圧可変のCMOSインバータチェーンを使うことにより,シリコンベースミリ波パルスビーム成形用の新しいアイデアを提示した。この4mm×4mm送信器チップを,設計して,2.5V,0.25μm 4金属層Si-Ge Bi-CMOSプロセスで製作した。最上層の金属層に配置された30μm×30μmのループアンテナは,集積されたミリ波パルス発生器の中でコイルとして作動した。ミリ波パルスを生成するために不足減衰/過減衰条件を採用した各オンチップパルス発生器は,R-L-C回路,スイッチとして作動するバイポーラジャンクショントランジスタ(BJT)と入力クロックの立ち上がりエッジを成形するためのCMOSインバータチェーン回路とを含んでいる。ADS 2009とHSPICEによるシミュレーション結果は,ループアンテナのインダクタンスと抵抗が80~120GHzにおいてそれぞれ51pHと3Ωであることを示した。集積した13×6のループアンテナアレイは,アレイの素子間の異なる位相値に依存して最大放射角が変わることを示した。ミリ波電力計,90~140GHz標準ホーンアンテナとSchottkyダイオード検出器を使うことによって,このループアンテナアレイチップの幾つかの計測放射パターンを得た。計測結果から,インバータチェーンの電源を変えることによって,ビーム成形を目的とする集積化ミリ波パルス発生器の実現性を示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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アンテナ  ,  半導体集積回路 
引用文献 (9件):
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