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J-GLOBAL ID：201102290472308546   整理番号：11A1133743

半導性単層カーボンナノチューブによる赤外太陽光エネルギーの収穫

Harvesting Infrared Solar Energy by Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes

著者 (4件)： LI Yongfeng (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KODAMA Soichiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KANEKO Toshiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HATAKEYAMA Rikizo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 4  号： 6  ページ： 065101.1-065101.3  発行年： 2011年06月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近赤外太陽エネルギーを収穫するために,半導性単層カーボンナノチューブ(S-SWNT)を用いてn型Siとp-nヘテロ接合を作製した。結果はS-SWNTを用いて近赤外線を電気エネルギーに変換できることを実証した。C₆₀フラーレンカプセル封入したS-SWNTに基づく太陽電池の性能は,金属とS-SWNTの両方を含むC₆₀カプセル封入SWNTにより作製した太陽電池で観測したものよりも遥かに優れていた。光の光子エネルギーがS-SWNTのバンドギャップエネルギーの二倍を超えると,効率が突然上昇し,多励起子発生の生起を示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導性 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *ヘテロ接合 ,  近赤外線 ,  エネルギー ,  エネルギー変換 ,  *太陽電池 ,  太陽エネルギー ,  カプセル封じ ,  励起子 ,  バンドギャップ ,  太陽光発電 ,  半導体材料 ,  N型半導体 ,  PN接合 ,  電気エネルギー

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (12件)：

• SPATARU, C. D. Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 077402
• TANS, S. J. Nature. 1998, 393, 49
• SOMANI, P. R. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 033315
• KONGKANAND, A. Nano Lett. 2007, 7, 676
• BROWN, P. J. Phys. Chem. C. 2008, 112, 4776

タイトルに関連する用語 (5件)： 半導性 ,  単層カーボンナノチューブ ,  赤外 ,  太陽光エネルギー ,  収穫