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J-GLOBAL ID：201102290976642587   整理番号：11A1643909

構造の異なる反射モードGaAs光電陰極の発光特性

Photoemission characteristics of different-structure reflection-mode GaAs photocathodes

著者 (5件)： ZHANG Yijun (Inst. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  ZOU Jijun (Inst. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  NIU Jun (Inst. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  ZHAO Jing (Inst. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  CHANG Benkang (Inst. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 110  号： 6  ページ： 063113  発行年： 2011年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 活性層厚と界面再結合速度の影響因子を考慮して,反射モードGaAs光電陰極に対する量子収量公式を修正した。修正した量子収量公式を用いて,分子ビームエピタクシーにより作製した三種類の構造の反射モードGaAs光電陰極の実験量子収量データを当てはめ,陰極性能パラメータを比較した。当てはめの結果はGaAlAsバッファ層に基づく傾斜ドーピング反射モードGaAs光電陰極が長波長応答領域で他の反射モード均一ドープしたものよりも高い発光能を達成できることを示した。これは一方では傾斜ドーピングGaAs活性層と誘起したGaAlAsバッファ層による界面再結合速度の低下,他方では電子拡散距離と電子逃散確率の増加に起因した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光電陰極 ,  *ヒ化ガリウム ,  速度 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  MBE成長 ,  バッファ層 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  拡散距離 ,  確率 ,  *量子収量
準シソーラス用語： 再結合速度 ,  逃散確率

分類 (1件)： 光電子放出  (BM09030D)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  光電陰極 ,  発光特性