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J-GLOBAL ID：201102291218607173   整理番号：11A0174941

円偏光クロスニコル測定を用いた半絶縁性6H-SiCウェハ内歪のマッピングとそのラマン散乱スペクトルとの関係

著者 (1件)： 竹内日出雄 (滋賀県大 工)
資料名： 光物性研究会論文集  (Proceedings of the Symposium of Association for Condensed Matter Photophysics, Japan)
巻： 21st  ページ： 110-113  発行年： 2010年 
JST資料番号： L3956A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 円偏光 ,  *炭化ケイ素 ,  電気的性質 ,  ウエハ【IC】 ,  Ramanスペクトル ,  歪 ,  半導体材料 ,  *残留応力 ,  *計測
準シソーラス用語： *6H-SiC ,  半絶縁性 ,  *円偏光クロスニコル測定

分類 (1件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (9件)： 円偏光 ,  ニコル ,  半絶縁性 ,  6H-SiC ,  ウェハ ,  歪 ,  マッピング ,  ラマン散乱 ,  スペクトル