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J-GLOBAL ID：201102291232138178   整理番号：11A0823415

表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価

Evaluation of crystallinity of poly-Si thin film with surface photovoltage method

著者 (4件)： 池田正則 (日本大 工) ,  清水博文 (日本大 工) ,  高松弘行 (神戸製鋼所) ,  迫田尚和 (神戸製鋼所)
資料名： 日本大学工学部紀要  (Journal of the College of Engineering, Nihon University)
巻： 52  号： 2  ページ： 35-40  発行年： 2011年03月25日 
JST資料番号： G0810A  ISSN： 1343-2885  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フラットパネルディスプレイ(FPD)型TVが普及した。FPD性能には,薄膜トランジスタ(TFT)が決定的に重要な役割をもつ素子である。TFTを構成する主材料の多結晶質Siについて,結晶性の評価が必要になる。本報告はSi単結晶ウエハの表面状態評価のためにつくられた交流表面光電圧AC-SPV)測定装置を流用して,結晶性の異なる領域をもつ厚さ約50nmの多結晶Si薄膜についてSPV測定を試みた。測定結果には,現行のマイクロ波光導電減衰(μ-PCD)法による測定結果とのよい対応が得られた。バンドモデルに基づいて測定結果の妥当性を検討した。大面積FPD用の多結晶Si薄膜を評価できる非接触式で平面走査が可能な,小型SPVプローブの開発を目論んでいる。

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  結晶度 ,  性能評価 ,  光電的測定 ,  フラットパネルディスプレイ ,  *薄膜トランジスタ ,  *スペクトロスコピー ,  表面準位 ,  半導体 ,  光起電力 ,  バンド構造 ,  光プローブ ,  薄膜成長
準シソーラス用語： SPVS【分光法】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光電 ,  圧 ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  結晶性 ,  評価